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理化所刘静团队原子级液态金属全印刷工艺制

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连年来,跟着芯片制程迭代越来越快,对集成度的请求越来越高,功用性器件的特点尺寸不停减小。现有硅基半导体技巧慢慢加入了“后摩尔时期”,半导体财产协会公布的国际半导体技巧门路图讲明:在始末了50多年器件微型化道路的技巧研发此后,晶体管的尺寸大概将在5年此后中止撙节。与此同时,由于功用性器件特点尺寸不停减小,器件中呈现的尺寸效应、量子效应、短沟道效应以及热效应等会致使器件机能降落以至作废。是以,鉴于基于保守半导体材料的硅基功用性器件已抵达极限,怎样研发高集成度、高机能的功用器件成为将来进展的首要方位。二维半导体电子器件,仰仗原子级的沟道厚度,高效的静电栅控,有用遏止的短沟道效应,杰出的器件集成度,以及极低的静态功耗,遭到了产业界与学术界的宽广


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