矽源特ChipSourceTekPE2

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矽源特ChipSourceTek-PE概述矽源特ChipSourceTek-PE是N沟道增强型功率MOSFET,矽源特ChipSourceTek-PE采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。矽源特ChipSourceTek-PE采用SOT23封装。适用于电池保护或其他开关应用。

矽源特ChipSourceTek-PE特性：VDS=20V,ID=4.5ARDS(ON)40m?

VGS=2.5VRDS(ON)33m?

VGS=4.5V丝印：矽源特ChipSourceTek-AE9T矽源特ChipSourceTek-PE典型应用电路图和脚位和丝印

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