（报告出品方/作者：光大证券，杨绍辉、林映吟）
1、ALD薄膜沉积新星，技术平台化打开成长空间
1.1、以ALD光伏应用起家，志在半导体等高端领域国产替代
微导纳米是先进微纳米级薄膜沉积专家。公司成立于年12月，由先导智能董事长王燕清等四人出资成立，年12月在科创板上市。自成立以来，公司定位为以ALD技术为核心的平台型公司，不断吸收海内外优秀人才，加大研发投入，构筑出在原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术等前沿科技领域的强势壁垒，并深化在高效光伏电池、集成电路、先进存储等领域的应用与技术储备。公司ALD设备率先在光伏领域应用，打破PECVD在背面钝化层镀膜的垄断。公司成立后适逢国内光伏电池技术取得重大突破与迭代，年以来，PERC电池取代BSF电池速度加快，年为新一代高效电池TOPCon的量产元年，电池片技术的迭代带来了新工艺新设备的尝试与应用机遇。在全球范围内，公司首创将ALD技术规模化应用到PERC电池的AL2O3钝化层制备，年其ALD设备在AL2O3钝化层制备的销售额占比不足2%，年则接近20%。目前，公司的ALD设备已覆盖光伏领域多家知名电池片厂商，如通威太阳能、隆基绿能、晶澳科技、阿特斯、天合光能，并适用于TOPCon、XBC、钙钛矿等高效电池。
进军逻辑芯片、先进存储、3D-IC等领域，拓展柔性电子镀膜。公司致力于为中国半导体关键装备国产化出力，年，公司正式对外开放A轮融资，引入毅达资本、中芯聚源、高瓴创投等知名投资方，为公司半导体装备研究注入大量资金支持。年，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备应用于28nm节点逻辑前道生产线的国产设备公司，其工艺参数达到了国际同类水平，并获得重复订单，标志着公司正式进军逻辑芯片、先进存储、3D-IC等领域。此外，公司正在孵化柔性电子领域ALD技术，开发多款CVD产品，有条不紊推动年以来所实施的产品线多元化战略。
公司实行董事会领导下的总经理负责制。公司实际控制人为王燕清家族（王燕清、其妻倪亚兰、其子王磊），IPO后其家族通过万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资间接控制公司60.61%股份，股权集中度较高，而董事会领导下的总经理负责制，有助于所有权与经营权分离，一定程度上可规避实控人非正常干预或控制公司经营活动的风险。
公司董事会与重要高管拥有半导体行业丰富的研究与从业经验。黎微明（LIWEIMIN）博士为公司第二大股东，截至23Q1末其持股比例为9.42%，曾就职于全球领先的半导体原子层沉积设备公司ASM国际、Picosun1，目前其出任微导纳米副董事长，首席技术官，其在芬兰工作期间曾为英特尔公司45nm芯片研发高介电薄膜。总经理周仁（ZHOUREN）曾就职于国际知名半导体刻蚀设备公司LamResearch、国内领先的刻蚀与薄膜沉积公司中微公司、拓荆科技。决策层与管理层在半导体领域深厚的经验一定程度上可为微导纳米在薄膜沉积领域的研发、产业化应用提供有益支持。
1.2、深耕薄膜沉积，ALD应用领域不断取得突破
目前，公司以ALD技术为核心，已开发出适用于半导体、光伏、柔性电子三大领域的薄膜沉积设备，未来将加大纵深拓展光学、生物医药、燃料电池等领域。
半导体领域
半导体领域公司目前以TALD（ThermalALD，热原子层沉积）设备为主，通过沉积不同类型的薄膜而适用于不同细分领域。公司iTomic系列原子层沉积镀膜系统因制备的Highk材料HfO2可以较好满足28nm逻辑器件的栅氧层工艺，目前已在量产线实现产业化应用。公司是国内首家成功将量产型Highk原子层沉积设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司，设备总体表现与工艺关键性能参数达到国际同类水平，并已获得重复订单。目前公司ALD设备涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等诸多细分应用领域。未来，公司将以ALD技术为核心，在ALD半导体应用领域树立口碑，再不断向PEALD、CVD等市场应用规模更大的设备拓展产品矩阵。
光伏领域
公司在光伏领域的产品包括ALD、PECVD、PEALD二合一设备和扩散炉系统，可与先导智能自主研发的清洗制绒、碱抛刻蚀、多晶硅清洗、丝印整线、测试分选、及整线自动化上下料设备形成TOPCon整线供应。夸父KF系列批量型TALD设备的Al2O3工艺可用于制备PERC电池背面钝化层、TOPCon电池正面钝化层，探索开发应用于HJT、钙钛矿。夸父KF-P系列PECVD设备的SiNX工艺可用于制备PERC与TOPCon电池减反层，并探索开发应用于XBC。祝融ZR系列PEALD二合一（PEALD+PECVD）集成PEALD与PECVD技术，同一台设备可完成电池Al2O3膜和SiNx膜，以及TOPCon电池超薄SiOx隧穿层和掺杂多晶硅薄膜的制备，公司目前也在开发a-Si/Si:B/Si:P等非晶硅掺杂的应用。羲和XH系统可用于PERC、TOPCon中磷扩、硼扩、氧化和退火工艺。后羿（HY）系列ALD/PEALD/PECVD薄膜沉积系统可用钙钛矿/异质结叠层电池的非晶/微晶硅基参杂薄膜、阻水阻气保护层沉积等。
1.3、在手订单充足保障业绩高增长
受益于光伏电池片技术迭代，公司新设备导入顺利，营收实现高增长。公司营业收入自年0.42亿元增长至年6.85亿元，年均复合增速为%，年公司实现营业收入6.85亿元，同比增长60%。公司一代量产机型KF于年初开始工艺验证，于年中开始试量产，年中，KF成功在通威完成量产验证，同年该设备量产爬坡，开始逐步推广到其他头部电池企业中。受益于国内光伏电池片技术处于PERC取代BSF，TOPCon取代PERC两大迭代期，公司设备下游客户拓展较为顺利，率先在光伏领域实现收入高速增长。
合同负债与存货增速快，在手订单充足保障业绩高增长。年末，公司合同负债和存货分别达到6.25亿元和9.75亿元，分别同比增长%、%，其中，发出商品5.46亿元。Q1末，公司合同负债与存货已分别增长至9.48亿元、14.48亿元。年末，公司专用设备在手订单22.93亿元，较年末所有在手订单增加14.15亿元，同比增幅超过%。
光伏领域在手订单：据公司IPO推介会介绍，截至年9月末，近一半来自TOPCon，近1/3来自XBC，近1/6来自PERC，并已有ALD设备出货至德国钙钛矿产线。年末，公司光伏设备在手订单已达19.67亿元，年一月初至年4月25日新增20.16亿元。半导体在手订单：据公司IPO推介会介绍，公司年9月在半导体产线上完成验证，截至年9月末获得订单1.5亿元，近一半来自新型存储，先进逻辑、新型显示和化合物半导体大约各占17%左右。年末，公司半导体设备在手订单已达2.57亿元，年一月初至年4月25日新增2.42亿元。
1.4、募投项目有序推进，新扩产能保障订单交付
募投加大投入，提高产能，满足下游需求。根据公司公告，公司IPO实际募集资金接近10亿元，将投入基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目、基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目、集成电路高端装备产业化应用中心项目及补充流动资金。此举有助于公司扩大产能，提高盈利能力，提升薄膜沉积设备市场占有率，促进半导体装备国产化。募投项目达产后预计为公司带来年均19.88亿元的收入，年均贡献2.72亿元净利润。
2、ALD技术应用空间广阔，半导体、光伏孕育新机遇
2.1、ALD技术可精准镀膜，技术延展性强应用领域广泛
2.1.1、ALD技术具有自限制特性，可精准控制薄膜厚度
目前，薄膜沉积有三大工艺路径。按工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）；按设备形态的不同可分为批量式（管式）和空间型（板式）两种技术路线。从成膜效果上看，相比ALD技术，PVD技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD技术的重复性和台阶覆盖性比PVD略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。
原子层沉积(AtomicLayerDeposition)是一种改良化学气相沉积技术，该技术发展主要有三个阶段：（1）早期萌芽阶段：年芬兰科学家SuntolaT和AntsonMJ正式申请ALD专利。早期该技术主要应用于制备II-VI族多晶化合物和非晶氧化物薄膜。20世纪80年代中后期,采用ALD技术生长II-VI族和III-V族单晶化合物以及制备有序异质超晶格受到了广泛
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